Home  |   Über uns  |   Investor Relations  |   Produkte  |   Service  |   Presse & Termine  |   Kontakt  |   Karriere
English

Standard Detektoren Standard Emitter Kundenspezifische Lösungen Systeme Kontakt
Silizium Fotodioden Avalanche Fotodioden Positionsempfindliche Fotodioden Quadranten Fotodioden Wellenlängenempfindliche Fotodioden Teilchen- und Röntgendetektoren Module / Entwicklungsplatinen
Nuklearmedizintechnik Halbleiterstrahlungsensoren
Si Avalanche Fotodioden
    Serie 8: Optimiert für hohe Grenzfrequenzen - 850nm

    Serie 9: mit erhöhter NIR - Empfindlichkeit - 900nm
Diese Avalanche Fotodioden wurden speziell für Anwendungen des Laser Radar Systems LIDAR und Laserentfernungsmesser entwickelt. Mit dieser Serie wird die fundamentale Technologie für die Entwicklung von Arrays mit vielen Einzelsensoren zum Beispiel 8, 16, 32 Pixel bereitgestellt.

Spezielle Eigenschaften
  • Schnelle Anstiegszeit im 900nm Bereich
  • Kleiner Verstärkungsanstieg über der Arbeitspunktspannung
  • Kleine Arbeitspunktspannungen möglich
  • Niedriger Temperaturkoeffizient
  • Bis zu 5mm Durchmesser der aktiven Fläche verfügbar

Empfindlichkeit (A/W)
Wellenlänge (nm)
 Vergleichen Sie:
Serie 8
Serie 9
Serie 10
Serie 11
Serie 12


Order numberType No.Active AreaDark current (nA)Breakdown voltage (V)Rise time (ns)
ChipPackageSize (mm)Area (mm²) M = 100M = 100
500010AD100-9TO52S1
Ø 0,1
0,010,1160 - 240*min. 0,5
501195AD100-9TO52S3
Ø 0,1
0,010,1160 - 240*min. 0,5
501123AD230-9LCC6.1
Ø 0,23
0,040,5160 - 240*0,5
501817AD230-9LCC6.1f
Ø 0,23
0,040,5160 - 240*0,5
500020AD230-9TO52S1
Ø 0,23
0,040,5160 - 240*0,5
500023AD230-9TO52S3
Ø 0,23
0,040,5160 - 240*0,5
501122AD500-9LCC6.1
Ø 0,5
0,20,8160 - 240*0,55
501818AD500-9LCC6.1f
Ø 0,5
0,20,8160 - 240*0,55
500031AD500-9TO52S1
Ø 0,5
0,20,8160 - 240*0,55
500590AD500-9TO52S1F2
Ø 0,5
0,20,8160 - 240*0,55
500306AD500-9TO52S2
Ø 0,5
0,20,8160 - 240*0,55
500156AD500-9TO52S3
Ø 0,5
0,20,8160 - 240*0,55
501196AD800-9TO52S1
Ø 0,8
0,52160 - 240*0,9
501197AD1100-9TO52S1
Ø 1,13
14160 - 240*1,3
501208AD1500-9TO5i
Ø 1,5
1,772160 - 240*2
500161AD5000-9TO8i
Ø 5
19,6360160 - 240*3
501198AD3000-9TO5i
Ø 3
7,0730160 - 240*2
 Multi-Element Arrays
50109816AA0.13-9SOJ22GLAPD Array 16 Elements, QE>80% at 760-910nm with NTC
50003816AA0.13-9DIL18APD Array 16 Elements, QE>80% at 760-910nm
50109716AA0.4-9SOJ22GLAPD Array 16 Elements, QE>80% at 760-910nm
5010998AA0.4-9SOJ22GLAPD Array 8 Elements, QE>80% at 760-910nm with NTC
501207QA4000-9TO8SiQuadrant Avalanche Photodiode, QE>80% at 760-910nm
 Hybrid
500756AD230-9-400MTO5A high frequency optical data receiver comprising an avalanche silicon photodiode and a transimpedance amplifier in a hermetically sealed TO-5 package.
500490AD500-9-400MTO5A high frequency optical data receiver comprising an avalanche silicon photodiode and a transimpedance amplifier in a hermetically sealed TO-5 package.
Datenblatt:9  
* Ubr-Selektion möglich Vergleichen (max. 4)
Telefon: +49(0)30 / 63 99 23 - 12   -   Telefax: +49(0)30 / 63 99 23 - 33   -   E-Mail: sales@silicon-sensor.de

    Serie 10: mit erhöhter NIR - Empfindlichkeit - 1064nm

    Serie 11: mit erhöhter Blau - Empfindlichkeit

    Serie 12: mit erhöhter Rot - Empfindlichkeit