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Nuklearmedizintechnik Halbleiterstrahlungsensoren
Si Avalanche Fotodioden
Avalanche Fotodioden sind Dioden mit einem internen Verstärkungsmechanismus. Wie bei Standarddioden generieren Photonen Elektron-Lochpaare, die mit Hilfe der angelegten äußeren Spannung so beschleunigt werden, dass auf Grund von Stoßionisation weitere Elektronen ins Leitungsband gehoben werden. Diese sekundär entstandenen Elektronen können wiederum genügend Energie aufnehmen, um weitere Elektronen ins Leitungsband zu heben. So kann ein Multiplikationsfaktor von einigen hundert erreicht werden.

Avalanche Dioden kommen meist zum Einsatz, wenn die optische Signalstärke sehr gering ist. Bei Anwendungen im Bereich hoher Modulationsfrequenzen haben APDs ebenfalls ein Einsatzgebiet. Das durch den Lawineneffekt erhöhte Rauschen ist bei Frequenzen ab ca. 60MHz zumeist niedriger als das Rauschen einer Kombination aus konventioneller Diode mit externer Verstärkerelektronik.

Typische Anwendungen sind z.B. die Entfernungsmessung, Messungen bei geringem Signalpegel und die optische Kommunikation.
Silicon Sensor bietet verschiedenste Varianten von APD Detektoren mit unterschiedlichen Gehäusen an. Optimierte Bauelemente für den blauen, den roten, und den Infraroten Spektralbereich zwischen 905nm und 1064nm, passen unser Sortiment für die meisten Applikationen an.

Neben den Standardprodukten bieten wir einen kompletten Design- und Optimierungs- Service an, um unsere APD-Serien auf Ihre spezielle Anwendung hin zu optimieren.

 

Empfindlichkeit (A/W)
Wellenlänge (nm)
 Vergleichen Sie:
Serie 8
Serie 9
Serie 10
Serie 11
Serie 12


    Serie 8: Optimiert für hohe Grenzfrequenzen - 850nm

    Serie 9: mit erhöhter NIR - Empfindlichkeit - 900nm

    Serie 10: mit erhöhter NIR - Empfindlichkeit - 1064nm

    Serie 11: mit erhöhter Blau - Empfindlichkeit

    Serie 12: mit erhöhter Rot - Empfindlichkeit