sind schnelle und hochempfindliche Fotodioden mit einem internen Verstärkungsmechanismus (Lawineneffekt). Sie sind ideal geeignet für den Spektralbereich von 300nm bis 1100nm.
sind auf Grund kleiner Dunkelströme, hoher Sperrschichtwiderstände, sehr geringer Kapazitäten u.a geeignet für hochwertige Anwendungen in der Photometrie, Radiometrie und Röntgen. Der Spektralbereich reicht von 190nm bis 1100nm.
Zweiachsige duo-laterale Flächensensoren. Sie besitzen eine hohe Positionsauflösung und zeichnen sich durch eine hohe Linearität aus. Eine preisgünstige Alternative sind tetra-laterale PSD.
zeichnen sich durch schmale Separationsstege (gap), kleine Dunkelströme, hohe Innenwiderstände sowie eine hohe Positionsauflösung für Justagevorgänge aus. Der Spektralbereich reicht von 200nm bis 1100nm.
mit einer Auflösung bis zu 10-² nm. Bevorzugt einzusetzen sind diese Bauelemente im Zusammenspiel mit monochromatischen Strahlungsquellen (LED, Laser,...).
Die Silicon Sensor AG bietet Module und Entwicklungsplatinen für APD Detektoren sowie Module für Quadrantenfotodioden, Duo Laterale Positionsempfindliche und Wellenlängeselektive Fotodioden an.
Atomare Teilchen mit ausreichender Bewegungsenergie und Röntgenstrahlung können direkt über die Absorption am Kristallgitter oder indirekt über Szintilatoren mit Strahlungsempfängern au...
